韩国GF证券分析师Jeff Pu认为，英伟达或将在2028年下半年采用Foveros封装技术。该消息仍需审慎看待：目前尚未公布任何相关合同或具体产品。
该推测与DigiTimes今年1月的一则早期爆料相呼应。当时报道提及，英伟达未来Feynman系列GPU的配套组件或采用英特尔18A或14A工艺，而GPU主体芯片的生产仍将交由台积电先进制程完成。
也就是说，英特尔将主要负责非核心IP模块，或是晶圆裸片制造完成后的后端工序。14A工艺计划于2028年下半年大规模投产，这一时间节点与杰夫·蒲给出的时间线吻合。
AI加速器的制造分为前端与后端工序：前端主要是在晶圆上制作电路；后端包含晶圆切割、互联，以及将各类裸片集成至封装外壳，最终产出可在数据中心使用的芯片。
英特尔仍在努力在最先进制程的代工领域追赶台积电。但在封装赛道，英特尔的EMIB、EMIB-T以及Foveros技术已经相对成熟。据称谷歌已对EMIB-T表达兴趣，计划用于其自研AI张量处理器TPU。
EMIB依托嵌入基板的硅桥，横向连接多个芯粒。EMIB-T在该架构基础上增加TSV（硅通孔），也就是穿透硅片的垂直互联通道，直接传输电源与信号。
Foveros更进一步，将计算裸片或其他芯粒**垂直堆叠**在基底裸片之上。这种结构可以缩小封装横向面积、缩短互联线路，有望提升带宽并改善能效。
对英伟达而言，后端封装供应商多元化，能够降低对台积电封装产能的依赖——当前全球AI加速器需求旺盛，台积电封装产能高度紧张。
而对英特尔来说，如果拿下Feynman相关项目，更大意义在于完成Foveros技术的工业验证，而非在先进光刻赛道取得即时胜利。
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责任编辑：刘明亮
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